北京2017年9月21日电 /美通社/ -- 在9月19日于北京举行的英特尔精尖制造日上，英特尔在其展示区域和主题演讲上展示了五款晶圆。这是英特尔首次公开展示这五款晶圆，彰显了英特尔在制造领域取得的巨大进步。 这五款晶圆包括：英特尔10纳米Cannonlake、英特尔10纳米Arm测试芯片、英特尔22FFL、14纳米展讯SC9861G-IA和14纳米展讯SC9853I。 英特尔Cannonlake采用10纳米制程工艺，不仅拥有全球最密集的晶体管和金属间距，还采用了超微缩特性，这两大优势保证了密度的领先性，比竞争友商的“10 纳米”技术领先了整整一代，计划于2017年下半年开始生产。超微缩可释放出多模式方案的全部价值，使得英特尔得以继续摩尔定律的经济效益。  英特尔10纳米Cannonlake 英特尔与Arm在10nm的合作取得了长足进步。英特尔10nm CPU测试芯片流片具有先进的Arm CPU核， 使用行业标准的设计实现，电子设计自动化(EDA) Place and Route工具和流程，性能高达3GHz以上。ARM同时正在开发高性能存储器、逻辑单元和CPU POP套件，以进一步扩展下一代ARM CPU在英特尔10nm技术上的性能水平。  英特尔10纳米Arm测试芯片 - ARM Cortex A75: Intel 10nm 测试芯片 在12周内从RTL 至首次Tape Out 标准英特尔10nm工艺 最新的软件测试结果 > 3.3GHz 250uW/MHz英特尔22FFL（FinFET 低功耗）平台旨在推动FinFET的大规模应用。它具备：  英特尔 22FFL 卓越集成能力 一流的 CPU 性能，主频超过 2 GHz 超低功耗，漏电率降低 100 倍 22 纳米+ 制程，每平方毫米 1,780 万个晶体管 全面的 RF 设计支持快速上市速度 行业最易使用的FinFET 制程 成熟生产平台，具备业经验证的22/14 纳米特性 经过芯片验证的移动/物联网 IP 组合 Arm 库和 POP 套件 英特尔架构处理器 IP 套件 交钥匙代工服务与支持Cost-effective的设计 与业界28纳米的平面(planar)工艺相比在成本上极具竞争力 单模式互联和宽泛的 DFM 规则 无复杂的衬底偏压要求理想应用 入门级/经济型智能手机 车载 可穿戴设备展讯的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移动 AP 均使用英特尔的 14 纳米低功耗平台制造而成，这两款移动 AP 分别于 2017 年 3 月和 8 月推出，同时还使用了英特尔 Airmont CPU 架构。  14纳米展讯 SC9853I
 14纳米展讯 SC9861G-IA 英特尔的 14 纳米平台适用于制造需要高性能和低漏电功耗的产品 第二代 FinFET 技术 行业领先的 PPA，每平方毫米 3,750 万个晶体管 一流的 CPU 性能，主频超过 2.5 GHz快速上市速度 业经验证的 14 纳米 HVM（大规模量产） 技术 经过芯片验证的移动/网络 IP 组合 交钥匙代工服务与支持两个平台满足您的全部产品需求 通用 (GP) 低功耗 (LP)理想应用 主流移动 数据中心本站文章部分内容转载自互联网，供读者交流和学习，如有涉及作者版权问题请及时与我们联系，以便更正或删除。感谢所有提供信息材料的网站，并欢迎各类媒体与我们进行文章共享合作。
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