引领制程工艺发展，英特尔披露前沿研发项目

北京2017年9月22日电 /美通社/ -- 9月19日，“英特尔精尖制造日”活动在北京举行，展现了英特尔全球领先的制程工艺创新力和领导力。这次活动上，英特尔也披露了正在推进的前沿技术研发项目，从而以不断的突破和创新，继续引领半导体产业的发展。

英特尔表示，自己的前沿研究部门资助多家大学院校和学术机构，共同开展多种前沿研究课题，活动上公布了这些课题的一些具体信息，內容如下：

纳米线晶体管被认为是未来技术的一种选择，因为纳米线的结构可提供改进通道静电，从而进一步实现晶体管栅极长度的微缩。

硅是 MOSFET 通道中经常使用的材料，但是 III-V 材料（如砷化镓和磷化铟）改进了载流子迁移率，从而提供更高的性能或者能够在更低的电压和更低的有功功耗下运行晶体管。

硅晶片的 3D 堆叠有机会实现系统集成，以便把不同的技术混装到一个很小的地方。

多种不同的高密度内存选择，其中包括易失性和非易失性存储技术，正在探索和开发中。

对于精尖制程技术来说，微缩互联和微缩晶体管一样重要。新的材料和图案成形技术正在探索中，以支持高密度互联。

极紫外（EUV）光刻技术采用13.5纳米波长，由于当今的193纳米波长工具已达到其微缩极限，该技术正在研发中以实现进一步的微缩。

自旋电子是一种超越 CMOS 的技术，当 CMOS 无法再进行微缩的时候，这是一种选择，可提供非常密集和低功耗的电路。

神经元计算是一种不同的处理器设计和架构，能够以比当前计算机高得多的能效执行某些计算功能。

过去15年来，英特尔在制程工艺方面推出的所有重要创新均得到行业的广泛采纳，而通过不断的前沿探索和突破，英特尔将继续傲然立于半导体行业发展的潮头。